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    日本FA-2000用于半導體工業的臭氧氣體發生器

    來源:www.lfcwgs.com 作者:同林臭氧 時間:2024-09-11 11:44

    FA-2000用于半導體工業的臭氧氣體發生器

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    優勢

    由于我們獨特的方法使用石英雙管放電單元,清潔和干燥的臭氧氣體無金屬產生污染物或濕氣。

    高濃度臭氧氣體由專用電源產生。

    用途

    各種半導體清洗裝置

    臭氧灰化裝置

    TEOS臭氧- cvd設備

    用于各種半導體的臭氧-水發生器

    放電原理

    FA系列石英雙管,電極間有介質,可防止金屬粉塵。

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    重金屬含量分析

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    高純度氧源規格

    臭氧放電壓力:0.07~0.20MPa

    臭氧濃度:~270g/m(N)

    發電量可調范圍:5~100%

    氧氣純度:99.95 ~ 99.9999%

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