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日本FA-2000用于半導體工業的臭氧氣體發生器

發布日期:2024-09-11  瀏覽次數:

FA-2000用于半導體工業的臭氧氣體發生器

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優勢

由于我們獨特的方法使用石英雙管放電單元,清潔和干燥的臭氧氣體無金屬產生污染物或濕氣。

高濃度臭氧氣體由專用電源產生。

用途

各種半導體清洗裝置

臭氧灰化裝置

TEOS臭氧- cvd設備

用于各種半導體的臭氧-水發生器

放電原理

FA系列石英雙管,電極間有介質,可防止金屬粉塵。

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重金屬含量分析

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高純度氧源規格

臭氧放電壓力:0.07~0.20MPa

臭氧濃度:~270g/m(N)

發電量可調范圍:5~100%

氧氣純度:99.95 ~ 99.9999%

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